Samsung tăng sản xuất DRAM hiệu suất cao cho hệ thống trí tuệ nhân tạo

Trụ sở của Tập đoàn Samsung Electronics ở Seoul tại Hàn Quốc. (Ảnh: AFP/TTXVN)

Người khổng lồ điện tử Hàn Quốc thông báo hãng đã chính thức bắt đầu sản xuất số lượng lớn bộ vi xử lý (chip) nhớ DRAM dòng băng thông cao thế hệ thứ hai (HBM) 8GB hiệu năng cao, dùng để cung cấp cho các siêu máy tính, giải pháp mạng và card đồ họa máy tính.

Bộ chip mới sẽ giúp truyền tải dữ liệu tốc độ 256 gigabyte mỗi giây, điều này cho phép gửi đi 14 bộ phim tiêu chuẩn siêu nét (Ultra HD) trong một giây.

Bộ chip 8GB có kích thước tương tự dòng vi xử lý HBM2 DRAM 4GB nhưng có dung lượng gấp đôi.

Cùng ngày, Samsung cho hay hãng bắt đầu các nỗ lực tái chế nhiều bộ phận của dòng điện thoại máy tính bảng Galaxy Note 7 theo cách thân thiện với môi trường sau khi dòng điện thoại thông mình màn hình lớn (smartphone) này đã phải dừng bán trên toàn cầu do lỗi cháy nổ pin.

Samsung đã tung ra dòng smartphone Galaxy Note FE, một phiên bản “tân trang” của dòng Galaxy Note 7.

Theo Samsung, phiên bản "tân trang" Note FE sẽ sử dụng lại một số linh kiện của Note 7 như màn hình OLED, chip bộ nhớ và camera, trong khi thay thế bằng các bộ phận mới khác cho chiếc smartphone Note FE này.

Việc thu hồi nhiều linh kiện của Note 7 giúp Samsung tái sử dụng khoảng 157 tấn nguyên vật liệu, gồm có vàng, bạc và đồng.

Cuối tuần qua, Samsung nhấn mạnh cam kết tạo thêm nhiều việc làm mới tại xứ kim chi, trong một động thái ủng hộ các nỗ thúc đẩy tăng trưởng kinh tế của Chính phủ Hàn Quốc.

Trong cuộc gặp với lãnh đạo Ủy ban Việc làm Hàn Quốc, Phó Chủ tịch Samsung Kwon Oh-hyun nhấn mạnh rằng hãng sẽ hợp tác với chính phủ trong vấn đề tạo việc làm trong nước.

Hiện Hàn Quốc đang nỗ lực mạnh mẽ để giải quyết thực trạng tỷ lệ người thất nghiệp, đặc biệt là thanh niên, duy trì ở mức cao trong thời gian dài vừa qua.

Chỉ tính riêng trong tháng Sáu năm nay, tỷ lệ thất nghiệp ở nước này vào khoảng 3,8%, trong đó 10,1% thuộc nhóm người có độ tuổi từ 15-29./.