Realme đã công bố smartphone tầm trung realme 12 tại Việt Nam với loạt nâng cấp, bao gồm bộ nhớ cực đại 512GB, ống kính máy ảnh 50MP Sony LYT-600 OIS đầu tiên trong phân khúc, sạc nhanh Supervooc 67W, giá từ 7.790.000 đồng.
Ngày 30/12, OPPO Việt Nam đã chính thức giới thiệu mẫu smartphone mới Reno 5. Sản phẩm sẽ được lên kệ chính thức vào ngày 10/01/2021 tại tất cả các hệ thống bán lẻ trên troàn quốc với giá 8.690.000 đồng.
Theo người đại diện của Google"Tất cả các dịch vụ hiện đã được khôi phục. Chúng tôi xin lỗi tất cả những người dùng đã bị gián đoạn bởi lỗi nghiêm trọng ngày hôm nay. Chúng tôi đang nỗ lực làm việc để đảm bảo rằng, tình trạng trên sẽ không lặp lại trong tương lai" . Phía Google cho biết, sự cố xảy ra do nguyên nhân đến từ hệ thống xác thực của công ty này: "Hôm nay, do gặp sự cố hạn ngạch bộ nhớ trong, nên hệ thống xác thực bị lỗi. Điều đó dẫn đến việc hệ thống ngừng hoạt động trong vòng 45 phút và xảy ra tình trạng người dùng không thể đăng nhập" Google cho biết thêm.
Twitter đã khắc phục sự cố bộ nhớ đệm có thể làm lộ mã thông tin xác thực và khóa API (Application Programming Interface - giao diện lập trình ứng dụng) của nhà phát triển.
Apple mới phát hành các bản vá nhằm xử lý nhiều lỗ hổng trên những sản phẩm của mình, bao gồm 5 lỗ hổng thực thi mã từ xa trên các thành phần Audio sử dụng các hệ điều hành của hãng này.
Nhóm nghiên cứu của Israel và Đức đã thực hiện các thuật toán ngay trong bộ nhớ nhằm thực hiện các tính toán và lưu trữ bởi cùng một đơn vị để tránh sự đình trệ trong việc truyền dữ liệu.
Với kích thước mỏng, nhỏ, nhẹ, hỗ trợ chuẩn chống nước IP68 và độ bền quân đội MIL-STD-810... LG Velvet chuẩn bị tung ra thị trường chiếc smartphone tầm trung vào ngày trong tuần thứ 2 tháng 5.
Apple nổi tiếng với việc tạo ra các sản phẩm đắt tiền, như iPhone và iPad. Bản thân sản phẩm không phải lúc nào cũng bắt đầu với một mức giá đắt đỏ nhưng có một cách mà Apple sử dụng để kiếm được nhiều tiền hơn từ sản phẩm là tính phí cho phần bộ nhớ trong tăng thêm.
Khi nói đến hiệu suất, bộ nhớ flash luôn luôn là vị vua không thể tranh cãi. Cho đến gần đây, bộ nhớ flash đã được chứng minh là quá đắt đối với các doanh nghiệp để triển khai cho việc lưu trữ cấp 1. Nói một cách đơn giản, hiệu suất không bù được cho mức chi phí bổ sung.
Các nhà nghiên cứu tại Đại học California, Los Angeles và một trong những nhà sản xuất bộ nhớ máy tính lớn nhất của Samsung, đã tạo ra một loại bộ nhớ flash mới sử dụng những tấm graphene (là tấm phẳng dày bằng một lớp nguyên tử của các nguyên tử cácbon) cùng với silicon để lưu trữ thông tin. Kết hợp với graphene có thể giúp mở rộng tính khả thi của công nghệ bộ nhớ flash trong những năm tới, và cho phép các thiết bị điện tử di động trong tương lai có thể lưu trữ nhiều dữ liệu hơn.
Trong tuần này, một chuyên viên cấp cao của Hewlett-Packard đã thông báo với những người tham dự tại Diễn đàn Điện tử Quốc tế 2011 tại Seville rằng công ty của ông sẽ có một con chip thẻ nhớ mới sẵn sàng để thay thế bộ nhớ flash NAND và ổ SSD (ổ trạng thái rắn) trong vòng 18 tháng.
Các nhà nghiên cứu máy tính tại Stanford muốn vứt bỏ các ổ đĩa cứng và lưu trữ thông tin tại các trung tâm dữ liệu trong bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên, kho lưu trữ tạm thời càng đắt tiền thì càng làm cho chương trình chạy nhanh hơn.
Các nhà nghiên cứu tại Trung tâm nghiên cứu Palo Alto (PARC) và công ty Thinfilm Electronics của Na Uy đã công bố một thiết bị điện tử in, lần đầu tiên kết hợp các bóng bán dẫn với bộ nhớ. Thiết bị này cung cấp một cách tốn ít chi phí để đọc, viết, và xử lý một lượng nhỏ dữ liệu. Ngoài ra, logic được bổ sung thêm cũng làm tăng số lượng dữ liệu có thể được lưu trữ.
TẠP CHÍ ĐIỆN TỬ THÔNG TIN VÀ TRUYỀN THÔNG
.jpg "Công nghệ bộ nhớ máy tính mới có thể cung cấp năng lượng cho AI trong tương lai")
